產品名稱：二硅化釩（VSi2）
規格：0.8-10um（D50）
形貌：不規則
顏色：黑灰色
特點：抗氧化穩定性
用途：制備大規模集成電路
名稱：硅化釩
英文名稱:VANADIUMSILICIDE
分子式:Si2V
分子量:107.11
MOLFile:12039-87-1.mol
CAS號:12039-87-1
EINECS號:234-908-5
熔點 : 1677 °C
密度 :4.42 g/cm3
精確質量：106.897817
單同位素質量：106.897817
制備 ：由按配比的金屬釩和單質硅在惰性氣體防護下經高溫直接反應而得。
用途：硅化物是制備大規模集成電路的關鍵材料，用它可以作電路的歐姆接觸、肖特基勢壘和電極引線，超大規模集成電路結深很淺，如64 兆位的超大規模集成電路的PN 結深度淺到200nm ，在如此淺結表面用常規的方法制備電極引線，經常導致PN 結穿通，使電路失效，為此則需要制備薄層硅化物，其中硅化釩是一種最好的選擇。近年來，隨著高速集成電路發展的要求，制備金屬基三極管(MBT)和穿通三極管(PBT)的要求出現，離子注入合成薄層硅化物成了新的熱點，但是用常規離子注入機注入合成硅化物，由于引出金屬離子種類少，束流弱，效率低。
1. 制備硅化釩薄膜。用大束流密度的釩金屬離子注入硅，能夠直接合成性能良好的薄層硅化物。隨束流密度的增加，硅化釩相生長，薄層硅化物的方塊電阻RS 明顯下降，當束流密度為25μA/cm2 時，Rs 達到最小值22Ψ，說明連續的硅化物已經形成。X 衍射分析表明，注入層中形成了V3Si 、V5Si3 、V3Si5 和VSi2 四種硅化釩。經過退火后，Rs 明顯地下降，化妝品原料Rs 最小可降到9Ψ，電阻率可小到72μΨm ，說明硅化釩薄層質量得到了進一步的改善，大束流密度注入和退火后，硅化釩相進一步生長。大束流密度注入和高溫退火(1200 ℃)仍然具有很低的薄層電阻率，這充分說明硅化釩具很好的熱穩定性。透射電子微鏡觀察表明，連續硅化釩薄層厚度為80nm 。
2. 制備一種吸聲陶瓷材料。所述材料包含基體層和表面層，所述基體層包括如下重量組份的各物質：三氧化二鎳11-22份、硅酸鎂鋁5-11份、氮化硼4-8份、硅化釩2-6份、玻璃纖維4-7份、氧化錳6-10份；所述表面層包括如下重量組份的各物質：二氧化釷3-7份、硅酸鉍3-8份、氯醇橡膠5-10份、聚酰胺樹脂4-9份、甘油磷酸酯7-11份。通過以陶瓷材料為基體層，并在基體層表面涂覆具備吸聲性能的表面層，兩者結合制備得到吸聲陶瓷材料，既具有吸聲功能，又具備良好的防塵、防火等性能，使用壽命顯著延長。
3. 制備一種復合高強氧化鋯陶瓷材料。所述的陶瓷材料包括氧化鋯20-40份、碳化硅5-12份、碳化鎢4-10份、氮化硼3-7份、硼化鋯3-7份、硼化鉬2-7份、硅化鎢2-6份、硅化鋇2-6份、硅化釩2-4份、硼化鉭3-6份。制備方法包括以下步驟：步驟1：將各成分在球磨機中機械球磨；步驟2：球磨后，把陶瓷材料在燒結爐內高溫燒結，升溫速率為30-70℃/min，先升高溫度至900-950℃，保持溫度不變2h，再升高至溫度為1250-1350℃，保持溫度不變3h，降低至室溫，制備為復合高強氧化鋯陶瓷材料。
4. 制備一種磷石膏和粉煤灰制酸聯產耐壓耐熱陶瓷材料。包括如下步驟：將磷石膏、粉煤灰、添加劑和改性劑混合并研磨制成生料，送入窯內焙燒，制得熟料；制得的熟料進行溶出，并進行固液分離；將分離得到的殘渣經浮選，分離得硫化物；將分離出的硫化物加工制得硫酸；將分離得到的溶液制備高純氧化鋁粉；將高純氧化鋁粉與氧化鋇、氧化鈣、三氧化二鉻、硅化釩、碳化鉿和硼化鋯均勻混合，采用球磨機進行球磨得混合物料；將混合物料高溫燒結得耐壓耐熱陶瓷材料。上述材料具有制酸和制備耐壓耐熱陶瓷材料成本低，廢渣利用率高，工藝簡單，采用高純氧化鋁粉制備的耐壓耐熱陶瓷材料具有較好的耐壓和耐熱的強度的特點。
5. 一種復合生物陶瓷材料。所述的生物陶瓷材料包括包括鋁酸鈣12-18份、氧化硅10-16份、磷酸鋁14-20份、硅酸鎂鋁10-15份、氧化鈣5-8份、硅酸鋯3-7份、硅化鈮6-11份、硅化釩5-13份、氮化硼4-9份、硼化鉬6-10份。制備方法為以下步驟：(1)取上述的材料進行高速混勻；(2)用球磨機進行球磨；(3)熱壓爐中進行壓制成型，升溫熱壓爐溫度至760-800℃，保溫1h，升至溫度為1230-1430℃，高溫燒結，冷卻至室溫后為復合生物陶瓷材料。
包裝儲存：本品為充惰氣塑料袋包裝，密封保存于干燥、陰涼的環境中，不宜暴露空氣中，防受潮發生氧化團聚，影響分散性能和使用效果；包裝數量可以根據客戶要求提供，分裝。
